?OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應(yīng)晶體管兼具低RDS(on)值與大安全工作區(qū)

英飛凌科技股份公司推出OptiMOS?線(xiàn)性場(chǎng)效應(yīng)晶體管系列。這個(gè)全新產(chǎn)品系列兼具溝槽型功率場(chǎng)效應(yīng)管的低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）與平面MOSFET的大安全工作區(qū)。這就解決了RDS(on)與線(xiàn)性模式功能之間的平衡問(wèn)題。OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應(yīng)晶體管可在增強(qiáng)模式MOSFET的飽和區(qū)工作。OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應(yīng)晶體管最適合電信和電池管理系統(tǒng)（BMS）中常見(jiàn)的熱插拔、電子熔斷器和保護(hù)應(yīng)用。

耐用的線(xiàn)性模式操作和更高的脈沖電流都有助于實(shí)現(xiàn)較低傳導(dǎo)損耗、更快啟動(dòng)和更短的停機(jī)時(shí)間。通過(guò)限制較高的勵(lì)磁涌流，OptiMOS線(xiàn)性場(chǎng)效應(yīng)晶體管可在發(fā)生短路的情況下防止負(fù)載損壞。