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      ?我研制出世界最大容量壓接型IGBT

      文章出處:電源 責(zé)任編輯:上海意泓電子科技有限責(zé)任公司 發(fā)表時(shí)間:
      2017
      12-28

      科技日?qǐng)?bào)訊 (記者俞慧友 通訊員劉偉)12月26日,記者從中車時(shí)代電氣獲悉,由公司牽頭完成的“3600A/4500V壓接型IGBT及其關(guān)鍵技術(shù)”項(xiàng)目,日前通過中國電子學(xué)會(huì)組織的成果鑒定。通過該項(xiàng)目的實(shí)施,公司研制出了世界功率等級(jí)最高的壓接絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)。據(jù)悉,這也是我國首次實(shí)現(xiàn)壓接型IGBT技術(shù)的零突破。


      壓接型IGBT是柔性直流輸電領(lǐng)域的核心器件。外形上看,器件與晶閘管等器件相似。但其主要通過并聯(lián)多個(gè)“子單元”部件實(shí)現(xiàn)功率容量。芯片與電極間的電氣連接,則通過壓力實(shí)現(xiàn)。與傳統(tǒng)焊接型IGBT 模塊相比,該類模塊具容量大、高可靠性、失效短路模式等優(yōu)點(diǎn)。

      中車時(shí)代電氣副總工程師劉國友介紹,此次研制出的3600A/4500V 壓接型IGBT模塊,是目前市場可見產(chǎn)品中容量最大,具雙面散熱、長期穩(wěn)定失效短路能力的器件。它的研制“融入”了大尺寸U形元胞壓接型芯片、基于低溫納米銀燒結(jié)的芯片強(qiáng)化、大面積方形陶瓷管殼并聯(lián)均流封裝等多項(xiàng)核心技術(shù),突破了芯片大規(guī)模并聯(lián)壓接封裝中的壓力均衡及電流均衡的技術(shù)難題,實(shí)現(xiàn)了器件特性與可靠性的雙重提升。該大容量壓接型IGBT模塊,現(xiàn)已通過多家電網(wǎng)企業(yè)的柔直換流閥級(jí)的示范應(yīng)用驗(yàn)證試驗(yàn),可達(dá)量產(chǎn)及工程化應(yīng)用要求。

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