開關(guān)電源是各種系統(tǒng)的核心部分。開關(guān)電源的需求越來越大，同時對可靠性提出了越來越高的要求。涉及系統(tǒng)可靠性的因素很多。目前，人們認識上的主要誤區(qū)是把可靠性完全（或基本上）歸結(jié)于元器件的可靠性和制造裝配的工藝,忽略了系統(tǒng)設(shè)計和環(huán)境溫度對可靠性的決定性的作用。據(jù)美國海軍電子實驗室的統(tǒng)計，整機出現(xiàn)故障的原因和各自所占的百分比。
在民用電子產(chǎn)品領(lǐng)域，日本的統(tǒng)計資料表明，可靠性問題80％源于設(shè)計方面（日本把元器件的選型、質(zhì)量級別的確定、元器件的負荷率等部分也歸入設(shè)計上的原因）。以上兩方面的數(shù)據(jù)表明，設(shè)計及元器件（元器件的選型，質(zhì)量級別的確定，元器件的負荷率）的原因造成的故障，在開關(guān)電源故障原因中占80％左右。減少這兩方面造成的開關(guān)電源故障，具有重要的意義?？傊瑢ο到y(tǒng)的設(shè)計者而言，需要明確建立“可靠性”這個重要概念，把系統(tǒng)的可靠性作為重要的技術(shù)指標，認真對待開關(guān)電源可靠性的設(shè)計工作，并采取足夠的措施提高開關(guān)電源的可靠性，才能使系統(tǒng)和產(chǎn)品達到穩(wěn)定、可靠的目標。本文就從這兩個方面來研究與闡述。
2 系統(tǒng)可靠性的定義及指標
國際上，通用的可靠性定義為：在規(guī)定條件下和規(guī)定的時間內(nèi)，完成規(guī)定功能的能力。此定義適用于一個系統(tǒng)，也適用于一臺設(shè)備或一個單元。描述這種隨機事件的概率可用來作為表征開關(guān)電源可靠性的特征量和特征函數(shù)。從而，引出可靠度[R（t）]的定義：系統(tǒng)在規(guī)定條件下和規(guī)定時間內(nèi)，完成規(guī)定功能的概率。
如系統(tǒng)在開始 （t=0）時有n0個元件在工作，而在時間為t時仍有n個元件在正常工作，
則
可靠性 R(t)=n/n0 0≤R(t) ≤1
失效率 λ(t)= - dinR(t)/dt
λ定義為該種產(chǎn)品在單位時間內(nèi)的故障數(shù)，即λ=dn/dt。
如失效率λ為常數(shù)，則
dn/dt=-λt
n=n0e-λt
R(t)=e-λt0
MTBF（平均無故障時間）=1/λ
平均無故障時間（MTBF）是開關(guān)電源的一個重要指標，用來衡量開關(guān)電源的可靠性。
3 影響開關(guān)電源可靠性的因素
從各研究機構(gòu)研究成果可以看出，環(huán)境溫度和負荷率對可靠性影響很大，這兩個方面對開關(guān)電源的影響很大，下面將從這兩方面分析，如何設(shè)計出高可靠的開關(guān)電源。其中：PD為使用功率；PR為額定功率主。UD為使用電壓；UR為額定電壓。
3.1 環(huán)境溫度對元器件的影響
3.1.1 環(huán)境溫度對半導體IC的影響
硅三極管以PD/PR=0.5使用負荷設(shè)計，則環(huán)溫度對可靠性的影響，如表2所示。
由表2可知，當環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時，失效率增加了30倍。
3.1.2 環(huán)境溫度對電容器的影響
以UD/UR=0.65使用負荷設(shè)計 則環(huán)境溫度對可靠性的影響如表3所示。
從表3可知，當環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時，失效率增加了14倍。
3.1.3 環(huán)境溫度對電阻器的影響
以PD/PR=0.5使用負荷設(shè)計，則環(huán)境溫度對可靠性的影響如表4所示。
從表4可知，當環(huán)境溫度Ta從20℃增加到80℃時，失效率增加了4倍。
3.2 負荷率對元器件的影響
3.2.1 負荷率對半導體IC的影響
當環(huán)境溫度為50℃時，PD/PR對失效率的影響如表5所示。
由表5可知，當PD/PR=0.8時，失效率比0.2時增加了1000倍。
3.2.2 負荷率對電阻的影響
負荷率對電阻的影響如表6所示。
從表6可以看出，當PD/PR=0.8時，失效率比PD/PR=0.2時增加了8倍。
4 可靠性設(shè)計的原則
我們可以從上面的分析中得出開關(guān)電源的可靠性設(shè)計原則。
4.1可靠性設(shè)計指標應包含定量的可靠性要求。
4.2可靠性設(shè)計與器件的功能設(shè)計相結(jié)合，在滿足器件性能指標的基礎(chǔ)上，盡量提高器件的可靠性水平。
4.3應針對器件的性能水平、可靠性水平、制造成本、研制周期等相應制約因素進行綜合平衡設(shè)計。
4.4在可靠性設(shè)計中盡可能采用國、內(nèi)外成熟的新技術(shù)、新結(jié)構(gòu)、新工藝和新原理。
4.5對于關(guān)鍵性元器件，采用并聯(lián)方式，保證此單元有足夠的冗佘度。
4.6 原則上要盡一切可能減少元器件使用數(shù)目。
4.7在同等體積下盡量采用高額度的元器件。
4.8 選用高質(zhì)量等級的元器件。
4.9 原則上不選用電解電容。
4.10 對電源進行合理的熱設(shè)計，控制環(huán)境溫度，不致溫度過高，導致元器件失效率增加。
4.11 盡量選用硅半導體器件，少用或不用鍺半導體器件。
4.12 應選擇金屬封裝、陶瓷封裝、玻璃封裝的器件，禁止選用塑料封裝的器件。
